贸泽推出TI即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品LMG3410R070

贸泽电子推出TI新型即用型600 V氮化镓(GaN)、70mΩ功率级产品LMG3410R070,使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,该产品可将功率密度提高一倍,将损耗降低80%,具有零共源极电感和高达100V/ns的压摆率。

LMG3410R070通过集成独特的功能和保护特性实现简化设计、达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电流限制和过温检测,器件可防止意外的直通事件并防止热失控,同时系统接口信号可实现自我监控功能。

该产品提供优异的功率密度,有助于实现totem-pole PFC之类的高效拓扑。它采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封装,无需外部保护元件,有助于简化设计和布局流程,帮助电源缩小高达50%的尺寸,适合应用于多级转换器、太阳能逆变器、高电压电池充电器和不间断电源。

LMG3410R070很适合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面贴装电容器使用。KC-LINK电容器经过特别设计,具有极低的有效串联电阻和热阻,可帮助装置承受高频率、高电压和高温。

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Larry

作者:
Larry Feng

作者简介:

自1995年起,Larry在摩托罗拉半导体(后为飞思卡尔半导体)、亚德诺半导体(ADI)和易络盟电子(Element14)负责亚太区市场推广和在线销售。在为集成电路企业工作过的20多年间,撰写了大量的各类集成电路产品介绍和技术文章、行业分析等,为集成电路企业树立了良好的企业形象和品牌。

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