Vishay 发布 1.7mΩ 导通电阻的 60V TrenchFET® MOSFET

Vishay 推出新款Siliconix SiR626DP 是PowerPAK® SO-8 单体封装的 60V TrenchFET® 第四代 N 沟道功率 MOSFET,专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低 36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

该器件 10V 条件下最大导通电阻降至 1.7mW,栅极电荷仅为 52nC,输出电荷为 68nC,COSS 为 992pF。在功率转换应用中,这款 MOSFET 的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)分别比前代器件降低 32% 和 45%。MOSFET 的 COSS 降低 69%。

SiR626DP 改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了 AC/DC 拓扑结构同步整流,隔离式 DC/DC 拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

该器件尺寸仅为 6.15mm x 5.15mm,节省空间,并经过 100% RG 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

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Larry

作者:
Larry Feng

作者简介:

自1995年起,Larry在摩托罗拉半导体(后为飞思卡尔半导体)、亚德诺半导体(ADI)和易络盟电子(Element14)负责亚太区市场推广和在线销售。在为集成电路企业工作过的20多年间,撰写了大量的各类集成电路产品介绍和技术文章、行业分析等,为集成电路企业树立了良好的企业形象和品牌。

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